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SVPWM引入
注意：图中左上角的端电压和相电压标反了。
端电压：指某一控制线末尾与地面之间的电压差，如$U_{A/g}$表示A点与地面之间的电压；
线电压：指两根线之间的电压，如$U_{AB}$表示AB两点之间的电压，也就是AB两条线之间的电压；
相电压：与端电压类似，$U_{AN}$指A点到N点的电压
观察图左下的圆可以发现，黑色向量是我们希望的方向，红绿蓝三个子向量向量和为黑色向量。这其实就是以红绿蓝三个向量为单位向量对黑色向量做分解而已，克拉克变换做的就是这个。
而图右边则阐明了如何利用PWM输出我们希望的电压，或者说，等效电压。PWM的占空比越大，等效电压越接近峰值。不过呢，STM32的PWM只能输出正电压。
逆变器预驱
逆变器全桥
全桥逆变器（图中右下部分）是一种常见的逆变电路拓扑结构，用于将直流电转换为交流电。它由四个开关器件组成，通常为MOSFET或IGBT，可以控制电流的流向和电压的极性。
全桥逆变器的工作原理和作用
- 基本结构：全桥逆变器由六个开关器件（如MOSFET或IGBT）组成，分为三组桥臂，每组桥臂有两个开关器件。
- 工作原理：通过控制开关器件的导通和关断，可以改变输出电压的极性，从而将直流输入转换为交流输出。开关器件的控制通常采用脉宽调制（PWM）技术，以调节输出电压的幅值和频率。
MOS管热损耗
mos管有一个寄生电阻（图中左上第一行，可以看到典型值为0.0062），因此会有热损耗产生
MOS管导通时间
虽然MOS管是电压驱动型的，但由于管内寄生电容需要充电，只有电容充满电后管才会被导通，因此电流越大、充电时间越短（米勒平台）。
- 米勒平台：指在 MOSFET 开通或关断过程中，由于栅漏电容（Cgd，也称米勒电容）的存在，栅源电压（Vgs）在一段时间内几乎保持不变，形成一个近似平直的平台。
开关损耗
查看图中左上第三行表格，可以看到mos管的打开延迟时间、上升时间、关闭延迟时间、下降时间等，这些东西加起来便是通常所说的死区时间（STM32的死区时间需要根据计数器参数计算，图中右上第四句话举例：如果我的高电平时间只有500纳秒，死区时间比这还要长的话，就无法靠这500ns使mos管产生反应）。
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